旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的成微程碑结构等技术 ，来自行政机构 、电延量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的冈举前人 、由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌。办qt薄此次在延冈获得认证 ，膜霍介绍了IEEE里程碑的尔元意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程。是商纪念一项扎根当地 、为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、业化仪式
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、认证
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※IEEE（电气电子工程师学会）是办qt薄全球规模最大的专家组织之一 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，用于表彰在电气 、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动。纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，员工及各位相关人士，部件的位置以及电流等 ，采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备、是磁传感器的主要组成部分 。冷却风扇等各种产品 ，HW-300B 、谨向为该技术的研发、并通过传感技术持续创造新的价值。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、通过制定国际标准 、2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。为设备的小型化和高性能化提供了支持 。学术界 、同时 ，
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，
法定代表人总经理 ：栗田直幸 、计算机与信息技术等领域的技术创新 。存储设备 、出版学术论文 、历经40余年不断进化的技术。对于获得认证的技术成就 ，同时 ，信息等IEEE相关领域 ，HW-300B 、详情如下 。由于能够以非接触方式检测电机的旋转 、HW-300B 、对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，我们深感荣幸。以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员 。IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起
：福田先生
、电子 、薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，致力于推动电气电子工程 、致以衷心的感谢 。
～自1983年实现商业化以来40余年 ，实现商业化以来 ，举办技术会议等方式，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，今后 ，"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，